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2SC3303

更新时间: 2024-09-20 22:52:39
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东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 199K
描述
NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCING APPLICATIONS)

2SC3303 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.42
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:1 W最大功率耗散 (Abs):20 W
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):120 MHz
VCEsat-Max:0.4 VBase Number Matches:1

2SC3303 数据手册

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