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2SC3303-Y(T6L1,NQ)

更新时间： 2024-09-21 21:09:51

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	162K
描述
TRANSISTOR NPN 80V 5A PW-MOLD

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2SC3303-Y(T6L1,NQ) 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	1 W
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

2SC3303-Y(T6L1,NQ) 数据手册

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2SC3303

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

2SC3303

Industrial Applications

Unit: mm

High Current Switching Applications

DC-DC Converter Applications

•

Low collector saturation voltage: V

= 0.4 V (max) (I = 3 A)

CE (sat) C

High speed switching time: t

= 1.0 μs (typ.)

stg

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

100

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

Pulse

1.0

Ta = 25°C

Tc = 25°C

Collector power

dissipation

JEDEC

JEITA

―

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

−55 to 150

stg

TOSHIBA

2-7J1A

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

Weight: 0.36 g (typ.)

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are

within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/”Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2010-02-05

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