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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3298BO | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220VAR |
|
| 2SC3298B-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SC3298BY | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220VAR |
|
| 2SC3298B-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SC3298O | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SC3298O | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC3298Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SC3299 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON NPNEPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS) |
|
| 2SC3299 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3299 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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