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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.87 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.03 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3293-CB | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC3293-RA | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC3293-RB | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SC3293-YA | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC3294 | SANYO |
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Driver Applications |
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| 2SC3295 | TYSEMI |
获取价格 |
High hFE: hFE = 600 3600. High voltage: VCEO = 50 V. High voltage: VCEO = 50 V. |
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| 2SC3295 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIALTYPE (AUDIO FREQUENC AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SC3295 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3295_03 | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency Amplifier Applications Switching Applications |
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| 2SC3295A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SC-59 |
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