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2SC3286-M

更新时间: 2024-11-23 06:18:03
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日电电子 - NEC 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
8页 104K
描述
SILICON POWER TRANSISTOR

2SC3286-M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):24 A
基于收集器的最大容量:240 pF集电极-发射极最大电压:32 V
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F4
端子数量:4封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SC3286-M 数据手册

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