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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | EMITTER | 最大集电极电流 (IC)： | 24 A |
| 基于收集器的最大容量： | 240 pF | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F4 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3292 | SANYO |
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For Switching Regulators |
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| 2SC3293 | SANYO |
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Driver Applications |
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| 2SC3293-CB | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC3293-RA | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SC3293-RB | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SC3293-YA | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SC3294 | SANYO |
获取价格 |
Driver Applications |
|
| 2SC3295 | TYSEMI |
获取价格 |
High hFE: hFE = 600 3600. High voltage: VCEO = 50 V. High voltage: VCEO = 50 V. |
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| 2SC3295 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIALTYPE (AUDIO FREQUENC AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SC3295 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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