5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-218 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.29 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 15 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JEDEC-95代码： | TO-218 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 80 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3256Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218VAR |
|
| 2SC3256R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218VAR |
|
| 2SC3256S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218VAR |
|
| 2SC3257 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
|
| 2SC3257 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3257 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3258 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3258 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3258 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS) |
|
| 2SC3258 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
