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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | 2-4E1A, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.52 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2710Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SPAK |
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| 2SC2710-Y | TOSHIBA |
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TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) |
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| 2SC2710-Y(F) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SC2712 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SC2712 | WINNERJOIN |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SC2712 | TYSEMI |
获取价格 |
High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) High hFE: hFE = 70 700 |
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| 2SC2712 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC2712 | HTSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR(NPN) |
|
| 2SC2712 | RECTRON |
获取价格 |
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) |
|
| 2SC2712 | WEITRON |
获取价格 |
Silicon NPN Transistors |
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