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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC2710-Y
2SC2710-Y PDF预览

2SC2710-Y

更新时间： 2024-11-18 12:56:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管放大器PC
页数 文件大小 规格书
3页 178K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

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2SC2710-Y 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：2-4E1A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.52Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SC2710-Y 数据手册

 浏览型号2SC2710-Y的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2710-Y的Datasheet PDF文件第3页 
2SC2710  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)  
2SC2710  
For Audio Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
High DC current gain: h  
= 100~320  
FE (1)  
Complementary to 2SA1150  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
35  
30  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
5
V
I
800  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
160  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
300  
C
T
j
150  
T
stg  
−55~150  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-4E1A  
Weight: 0.13 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 35 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
30  
⎯
⎯
⎯
0.1  
0.1  
⎯
μA  
μA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) CEO  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I = 10 mA, I = 0  
C B  
h
FE (1)  
(Note)  
V
V
= 1 V, I = 100 mA  
100  
⎯
320  
CE  
C
DC current gain  
h
= 1 V, I = 700 mA  
35  
⎯
⎯
⎯
⎯
0.5  
0.8  
⎯
FE (2)  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
V
I
= 500 mA, I = 20 mA  
V
V
CE (sat)  
C
B
V
V
V
V
= 1 V, I = 10 mA  
0.5  
⎯
⎯
BE  
CE  
CE  
CB  
C
Transition frequency  
f
= 5 V, I = 10 mA  
120  
13  
MHz  
pF  
T
C
Collector output capacitance  
C
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
⎯
⎯
ob  
E
Note: h  
classification O: 100~200, Y: 160~320  
FE (1)  
1
2007-11-01  
123

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与2SC2710-Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2710-Y(F) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SC2712 BL Galaxy Electrical

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2SC2712 WINNERJOIN

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 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SC2712 TYSEMI

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 		High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) High hFE: hFE = 70 700
2SC2712 TOSHIBA

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 		TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLFIER APPLICATIONS)
2SC2712 HTSEMI

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2SC2712 RECTRON

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 		Silicon NPN Epitaxial Type Transistor

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