是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.59 |
最大集电极电流 (IC): | 0.15 A | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 120 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.15 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 80 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SC2712_07 | TOSHIBA | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) |
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2SC2712_07 | BL Galaxy Electrical | Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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2SC2712_09 | UTC | AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR |
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2SC2712_11 | SECOS | NPN Epitaxial Planar Transistor |
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2SC2712_15 | KEXIN | NPN Transistors |
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2SC2712BL | WEITRON | Silicon NPN Transistors |
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