是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.32 |
Samacsys Confidence: | 4 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 1597513 | Samacsys Pin Count: | 3 |
Samacsys Part Category: | Integrated Circuit | Samacsys Package Category: | Other |
Samacsys Footprint Name: | 2-3F1A_FFW | Samacsys Released Date: | 2018-11-20 21:20:57 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC): | 0.15 A | 基于收集器的最大容量: | 3.5 pF |
集电极-发射极最大电压: | 50 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 70 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 0.15 W | 最大功率耗散 (Abs): | 0.15 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 80 MHz | VCEsat-Max: | 0.25 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC2712_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) | |
2SC2712_07 | BL Galaxy Electrical |
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Silicon Epitaxial Planar Transistor | |
2SC2712_09 | UTC |
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AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR | |
2SC2712_11 | SECOS |
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NPN Epitaxial Planar Transistor | |
2SC2712_15 | KEXIN |
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NPN Transistors | |
2SC2712BL | WEITRON |
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Silicon NPN Transistors | |
2SC2712-BL | MCC |
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NPN Plastic-Encapsulate Transistors | |
2SC2712-BL(F) | TOSHIBA |
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150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | |
2SC2712-BL(T5L,T) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-23 | |
2SC2712-BL(T5LCLAF | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |