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2SC2712-BL-T PDF预览

2SC2712-BL-T

更新时间： 2024-01-31 16:40:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 131K
描述
Transistor

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2SC2712-BL-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

2SC2712-BL-T 数据手册

 浏览型号2SC2712-BL-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2712-BL-T的Datasheet PDF文件第3页 
2SC2712  
M C C  
2SC2712-O  
2SC2712-Y  
2SC2712-GR  
2SC2712-BL  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN  
•
Complementary to 2SA1162  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
x
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
50  
60  
5.0  
150  
Unit  
V
V
SOT-23  
A
D
V
C
mA  
mW  
R
PC  
TJ  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
150  
-55 to +150  
B
C
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
E
B
F
E
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
H
G
J
ICBO  
IEBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
---  
---  
---  
---  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
K
DIMENSIONS  
ON CHARACTERISTICS  
INCHES  
MIN  
MM  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
(IC=1mA, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100µA, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100µA, IC=0)  
DC Current Gain*  
(IC=2mAdc, VCE=6.0Vdc)  
Collector Saturation Voltage*  
(IC=-100mAdc, IB=10mAdc)  
Output Capacitance  
(VCB=10V, IE=0, f=1MHz)  
Gain Bandwidth product  
(VCE=10Vdc, IC=1mAdc)  
Noise Figure  
VCE=6V, IC=0.1mA, f=1KHz, Rg=10K  
=)  
V
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
50  
---  
---  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
hF  
V
V
60  
5.0  
70  
---  
---  
---  
---  
---  
F
G
H
J
---  
700  
0.25  
3.5  
---  
---  
.085  
.37  
K
VCE(sat)  
Cob  
fT  
0.1  
2.0  
---  
V
Suggested Solder  
Pad Layout  
---  
pF  
.031  
.800  
80  
MHz  
NF  
.035  
.900  
---  
1.0  
10  
dB  
.079  
2.000  
inches  
mm  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
O
70-140  
LO  
Y
120-240  
LY  
GR  
200-400  
LG  
BL  
350-700  
LL  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 3  
2007/03/01  
123

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与2SC2712-BL-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2712BLTE85R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC2712-BL-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC2712-BL-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), NPN,
2SC2712-G KEXIN

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 		NPN Transistors
2SC2712-G-AE3-R UTC

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2SC2712-G-AL3-R UTC

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