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2SC2712-GR

更新时间： 2024-11-18 07:30:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 240K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistors

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2SC2712-GR 数据手册

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2SC2712-O  
2SC2712-Y  
2SC2712-GR  
2SC2712-BL  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Complementary to 2SA1162  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
•
·
·
SOT-23  
Maximum Ratings  
A
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
50  
60  
5.0  
150  
Unit  
V
V
D
C
V
B
C
mA  
mW  
R
PC  
TJ  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
150  
-55 to +150  
E
B
F
E
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
H
G
J
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
K
ICBO  
IEBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
---  
---  
---  
---  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
DIM  
A
MIN  
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
ON CHARACTERISTICS  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
B
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
(IC=1mA, IB=0)  
V
C
D
E
50  
---  
---  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
hF  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100µA, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100µA, IC=0)  
V
V
F
60  
5.0  
70  
---  
---  
---  
---  
---  
G
H
J
.085  
.37  
K
DC Current Gain*  
---  
700  
0.25  
3.5  
---  
---  
(IC=2mAdc, VCE=6.0Vdc)  
Collector Saturation Voltage*  
(IC=-100mAdc, IB=10mAdc)  
Output Capacitance  
(VCB=10V, IE=0, f=1MHz)  
Gain Bandwidth product  
(VCE=10Vdc, IC=1mAdc)  
Noise Figure  
Suggested Solder  
Pad Layout  
VCE(sat)  
Cob  
fT  
0.1  
2.0  
---  
V
.031  
.800  
---  
pF  
.035  
.900  
80  
MHz  
NF  
.079  
2.000  
inches  
mm  
V
CE=6V, IC=0.1mA, f=1KHz, Rg=10K  
---  
1.0  
10  
=)  
dB  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
O
70-140  
LO  
Y
120-240  
LY  
GR  
200-400  
LG  
BL  
350-700  
LL  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与2SC2712-GR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2712-GR(F) TOSHIBA

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 		150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2712-GR(T5L,F,T) TOSHIBA

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 		TRANS NPN 50V 150MA S-MINI
2SC2712-GR(T5LFD,F TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC2712-GR(T5LHITF TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC2712-GR(T5LPEWF TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC2712-GR(T5LTYDF TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC2712-GR(TE85L,F TOSHIBA

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin S-Mini T/R
2SC2712-GR(TLSPFT) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-23
2SC2712-GR,LF(B TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SC2712-GR,LF(T TOSHIBA

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 		150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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