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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 8.37 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2712-GR(F) | TOSHIBA |
完全替代  |
150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC2712-GR-TP | MCC |
功能相似 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C |
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| 2SC2712GT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Medium Frequency NPN Amplifier Transistor 50 V, 200 mA, 80 MHz |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2712-GR(TLSPFT) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-23 |
|
| 2SC2712-GR,LF(B | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SC2712-GR,LF(T | TOSHIBA |
获取价格 |
150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SC2712GR-T | RECTRON |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SC2712GRTE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
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| 2SC2712GRTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SC2712-GR-TP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C |
|
| 2SC2712-GR-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), NPN, |
|
| 2SC2712GT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Medium Frequency NPN Amplifier Transistor 50 V, 200 mA, 80 MHz |
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| 2SC2712G-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR |
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