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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2712GRTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SC2712-GR-TP | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C |
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| 2SC2712-GR-TP-HF | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), NPN, |
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| 2SC2712GT1G | ONSEMI |
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Medium Frequency NPN Amplifier Transistor 50 V, 200 mA, 80 MHz |
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| 2SC2712G-X-AE3-R | UTC |
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AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR |
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| 2SC2712G-X-AL3-R | UTC |
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AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR |
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| 2SC2712-HF_15 | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| 2SC2712L | UTC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SC2712-L | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
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| 2SC2712-L-AE3-R | UTC |
获取价格 |
AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR |
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