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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC2712
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2SC2712

更新时间： 2024-11-18 06:21:15
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 291K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

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2SC2712 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.35最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SC2712 数据手册

 浏览型号2SC2712的Datasheet PDF文件第2页 
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR  
2SC2712  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(PNP)  
FEATURES  
* Power dissipation  
PCM :  
150  
150  
60  
mW(Tamb=25OC)  
Collector current  
ICM :  
Collector-base voltage  
*
*
*
mA  
V
:
V
(BR)CBO  
SOT-23  
Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg: -55OC to +150OC  
J
COLLECTOR  
3
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
BASE  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
1
2
EMITTER  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
* Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25 C unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
Collector-base breakdown voltage (I = 100µA, I =0)  
SYMBOL  
MIN  
60  
50  
5
TYP  
MAX  
UNITS  
V
-
-
-
-
-
V
(BR)CBO  
C
E
Collector-emitter breakdown voltage (I = 1mA, I =0)  
V
V
V
V
C
B
(BR)CEO  
-
-
Emitter-base breakdown voltage (I = 100µA, I =0)  
E
C
(BR)EBO  
0.1  
0.1  
Collector cut-off current (V = 60V, I =0)  
-
-
CB  
E
I
µA  
µA  
CBO  
-
-
Emitter cut-off current (V = 5V, I =0)  
I
EBO  
EB  
C
DC current gain (V = 6V, I = 2mA)  
70  
-
700  
0.25  
-
-
CE  
C
h
FE  
V
V
Collector-emitter saturation voltage (I = 100mA, I = 10mA)  
CE(sat)  
0.1  
-
C
B
80  
MHz  
Transition frequency (V = 10V, I = 1mA)  
CE  
C
f
T
pF  
dB  
Output capacitance (V = 10V, I = 0, f= 1MHZ)  
CB  
Cob  
NF  
-
-
2.0  
1.0  
3.5  
10  
E
Noise figure (V = 6V, I = 0.1mA, f= 1KHZ, Rg= 10KΩ)  
CE  
C
CLASSIFICATION OF h  
FE  
BL  
Y
GR  
RANK  
Range  
Marking  
O
70-140  
LO  
350-700  
LL  
120-240  
LY  
200-400  
LG  
2006-3  
12

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2SC2712 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC3134 SANYO

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 For AF Applications
2SC2712 TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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