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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 基于收集器的最大容量： | 3.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 350 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.15 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2712-BL(T5LCLAF | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC2712-BL(T5LNSEF | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SC2712-BL(TE85L,F | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SC2712-BL(TLSPFT) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-23 |
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| 2SC2712-BL-T | MCC |
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Transistor |
|
| 2SC2712BLTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SC2712-BL-TP | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C |
|
| 2SC2712-BL-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), NPN, |
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| 2SC2712-G | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| 2SC2712-G-AE3-R | UTC |
获取价格 |
AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR |
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