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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2710-Y | TOSHIBA |
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TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) |
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| 2SC2710-Y(F) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SC2712 | BL Galaxy Electrical |
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Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SC2712 | WINNERJOIN |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SC2712 | TYSEMI |
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High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) High hFE: hFE = 70 700 |
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| 2SC2712 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC2712 | HTSEMI |
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TRANSISTOR(NPN) |
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| 2SC2712 | RECTRON |
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SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) |
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| 2SC2712 | WEITRON |
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Silicon NPN Transistors |
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| 2SC2712 | UTC |
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AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR |
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