2SC2149

更新时间： 2024-11-19 22:52:39

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波
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8页	55K
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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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2SC2149 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MICROWAVE, X-CXMW-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.76	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	X-CXMW-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	MICROWAVE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2149 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTORS

2SC2148, 2SC2149

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION

The 2SC2148, 2SC2149 are economical microwave transistors

encapsulated into new hermetic stripline packages, "micro X".

These are designed for small signal amplifier, low noise amplifier,

and oscillator applications in the L to C band, and CML circuit use.

PACKAGE DIMENSIONS

(Unit : mm)

FEATURES

4.0 MIN.

2SC2148 NF: 2.1 dB TYP. @f = 500 MHz

2SC2149 NF: 2.6 dB TYP. @f = 2.0 GHz

45°

0.5±0.05

2.55±0.2

2.1

1. Emitter

2. Collector

3. Emitter

4. Base

Derating curves of the 2SC2148, 2SC2149.

The maximum junction temperature of these transistors is allowed up to 200 °C, but the ambient or storage

temperature is limitted to 150 °C. The operating junction temperature is estimated with power consumption (PT) and

thermal resistance mentioned on these derating curves.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P11809EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TC-1428)

Date Published August 1996 P

Printed in Japan

1981

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC2166	MITSUBISHI	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)
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