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2SC2166_2014

更新时间： 2024-11-21 01:17:55

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC2166_2014 数据手册

Product Specification

Silicon NPN Power Transistor

2SC2166

DESCRIPTION

·High Power Gain-

: G_pe≥ 13.8dB @f= 27MHz, P_O= 6W; V_CC= 12V

·High Reliability

APPLICATIONS

·Designed for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band

mobile radio applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CER

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage R_BE= 10Ω

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

12.5

1.5

P_C

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

T_j

Junction Temperature

150

-55~150

℃

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Ambient

Thermal Resistance,Junction to Case

R_{th j-a}

R_{th j-c}

Website：www.jmnic.com

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