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2SC2209Q

更新时间： 2024-11-24 20:29:03

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松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
4页	68K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126A-A1, 3 PIN

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2SC2209Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2209Q 数据手册

Power Transistors

2SC2209

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

+0.5

–0.1

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SA0963 (2SA963)

7.5

2.9 0.2

120

I Features

•

Large collector power dissipation P_C

Output of 5 W can be obtained by a complementary pair with

2SA0963

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

Unit

0.75 0.1

4.6 0.2

0.5 0.1

2.3 0.2

0.5 0.1

1.26 0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1 : Emitter

2 : Collector

3 : Base

1.5

TO-126A Package

I_C

Collector power dissipation (T_C= 25°C)

Junction temperature

Storage temperature

P_C

°C

T_j

150

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

Collector cutoff current

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_CE= 10 V, I_B= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

I_C= 1 mA, I_E= 0

I_CEO

100

Emitter cutoff current

I_EBO

Collector to base voltage

V_CBO

V_CEO

h_FE

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio ^*

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= 2 mA, I_B= 0

V_CE= 5 V, I_C= 1 A

I_C= 1.5 A, I_B= 150 mA

I_C= 2 A, I_B= 0.2 A

220

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

1.5

V_CB= 5 V, I_E= − 0.5 A, f = 200 MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= 5 V, I_E= 0, f = 1 MHz

Note) : Rank classification

Rank

h_FE

80 to 160

120 to 220

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

12 3 4

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与2SC2209Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2209R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
2SC2210	SANYO	获取价格	2SC2210
2SC2210C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-92
2SC2210D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-92
2SC2210E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-92
2SC2210F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-92
2SC2215	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92
2SC2216	WINNERJOIN	获取价格	TRANSISTOR (NPN)
2SC2216	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC2216	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR (TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APPLICATIONS)

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