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2SC2223

更新时间: 2024-01-31 20:28:26
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日电电子 - NEC 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 225K
描述
HIGH FREQUENCY AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

2SC2223 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.09最大集电极电流 (IC):0.02 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e6
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Bismuth (Sn98Bi2)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):600 MHzBase Number Matches:1

2SC2223 数据手册

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