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2SC2223-F14

更新时间： 2024-02-02 15:54:51
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科信 - KEXIN /
页数 文件大小 规格书
3页 1262K
描述
NPN Transistors

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2SC2223-F14 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.09
最大集电极电流 (IC)：0.02 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：600 MHzBase Number Matches：1

2SC2223-F14 数据手册

 浏览型号2SC2223-F14的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2223-F14的Datasheet PDF文件第3页 
SMD Type  
Transistors  
NPN Transistors  
2SC2223  
SOT-23-3  
Unit: mm  
+0.2  
-0.1  
2.9  
0.4  
+0.1  
-0.1  
3
■ Features  
● Collector Current Capability IC=20mA  
● Collector Emitter Voltage VCEO=20V  
1
2
+0.02  
-0.02  
+0.1  
-0.1  
0.15  
0.95  
+0.1  
-0.2  
1.9  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Collector - Base Voltage  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
30  
20  
4
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
I
C
20  
mA  
P
C
150  
mW  
T
J
125  
℃
Storage Temperature Range  
T
stg  
-55 to 125  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
30  
20  
4
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector- base breakdown voltage  
Collector- emitter breakdown voltage  
Emitter - base breakdown voltage  
Collector-base cut-off current  
Emitter cut-off current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Ic= 100 μA， I  
Ic= 1 mA， I = 0  
= 100μA， I  
E= 0  
B
I
E
C= 0  
I
CBO  
EBO  
V
V
CB= 25 V , I  
EB= 3V , I  
E
= 0  
100  
100  
0.3  
1.2  
nA  
V
I
C
=0  
Collector-emitter saturation voltage  
Base - emitter saturation voltage  
Base - emitter voltage  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
I
I
C
=10 mA, I  
B=1mA  
V
C
=10 mA, I  
B=1mA  
V
BE  
V
V
V
V
V
V
CE= 6V, I  
CE= 6V, I  
CE= 6V, I  
CB= 6V, I  
CE= 6V, I  
CE= 6V, I  
C
= 1mA  
= 1mA  
0.72  
DC current gain  
hFE  
C
40  
180  
Noise Figure  
NF  
E
E
E
E
= -1mA,R  
G
=50Ω,f=100MHz  
3
1
dB  
pF  
Collector output capacitance  
Collector to base time constant  
Transition frequency  
Cob  
= 0,f=1MHz  
= -1mA,f=31.9MHz  
= -1mA  
Ccrb'b  
12  
600  
pS  
f
T
400  
MHz  
■ Classification of hfe  
Type  
Range  
Marking  
2SC2223-F12  
2SC2223-F13  
60-120  
2SC2223-F14  
90-180  
40-80  
F12  
F13  
F14  
1
www.kexin.com.cn  
123

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与2SC2223-F14相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2223-F14-A NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
2SC2223F14-A NEC

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 		VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3
2SC2223-F14-HF KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
2SC2223F14-T1B RENESAS

获取价格

 		VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
2SC2223F14-T1B-A RENESAS

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,20MA I(C),SOT-346
2SC2223F14-T2B RENESAS

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 		VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
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2SC2223F14-T2B-AT RENESAS

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,20MA I(C),SOT-346
2SC2223F6 NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
2SC2223F6-A NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic

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