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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | 1.4 MM X 0.8 MM, 0.59 MM HEIGHT, TSFP-4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.61 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 600 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2223F12 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SOT-346 |
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| 2SC2223-F12 | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| 2SC2223-F12-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2223-F12-HF | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| 2SC2223F12-L | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,20MA I(C),SOT-346 |
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| 2SC2223F12-T1B-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,20MA I(C),SOT-346 |
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| 2SC2223F12-T2B-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,20MA I(C),SOT-346 |
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| 2SC2223F13 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SOT-346 |
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| 2SC2223-F13 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2223-F13 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
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