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2SC2223F13

更新时间: 2024-11-17 23:20:11
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日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 225K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SOT-346

2SC2223F13 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.09
最大集电极电流 (IC):0.02 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):600 MHz
Base Number Matches:1

2SC2223F13 数据手册

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