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2SC2216

更新时间： 2024-01-18 14:15:18

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SECOS		晶体晶体管
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2页	252K
描述
NPN Plastic Encapsulated Transistor

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2SC2216 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2SC2216 数据手册

2SC2216

0.05 A , 50 V

NPN Plastic Encapsulated Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

TO-92

FEATURES

Amplifier dissipation NPN Silicon



Base

Emitter

Collector

Millimeter

REF.

Min.

4.40

4.30

12.70

3.30

0.36

Max.

4.70

3.81

0.56

0.51

1.27 TYP.

1.10

2.42

0.36

2.66

0.76

Collector





Base



Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector to Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Junction, Storage Temperature

°C

P_C

300

T_J, T_STG

125, -55~125

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Min.

Typ. Max.

Unit

Test Conditions

Collector to Base Breakdown Voltage

Collector to Emitter Breakdown Voltage

Emitter to Base Breakdown Voltage

Collector Cut – Off Current

Emitter Cut – Off Current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=100μA, I_E=0

I_C=10mA, I_B=0

I_E=100μA, I_C=0

0.1

140

0.2

1.5

μA

V_CB=50V, I_E=0

I_EBO

V_EB=3V, I_C=0

DC Current Gain

h_FE

V_CE=12.5V, I_C=12.5mA

I_C=15mA, I_B=1.5mA

Collector to Emitter Saturation Voltage

Base to Emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Transition Frequency

300

MHz V_CE=12.5V, I_C=12.5mA

pF V_CB=10V, I_E=0, f=30MHz

Collector Output Capacitance

C_ob

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

17-Feb-2011 Rev. A

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