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2SC2166_2014

更新时间： 2022-02-26 12:56:02

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描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC2166_2014 数据手册

Product Specification

Silicon NPN Power Transistor

2SC2166

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CBO

V_(BR)CER

V_(BR)EBO

I_CBO

PARAMETER

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

I_C= 1mA, I_E= 0

I_C= 10mA; R_BE= 10Ω

I_E= 1mA, I_C= 0

V_CB= 30V; I_E= 0

V_EB= 3V; I_C= 0

0.1

I_EBO

h_FE

DC Current Gain

I_C= 0.1A; V_CE= 10V

180

P_O

Output Power

7.5

V_CC= 12V; P_in= 0.25W;

f= 27MHz

η_C

Collector Efficiency

Website：www.jmnic.com

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