2SC2209

更新时间： 2024-11-19 22:52:39

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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2SC2209 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2209 数据手册

Power Transistors

2SC2209

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SA0963

Unit: mm

2.9 0.2

+0.5

–0.1

7.5

120°

■ Features

• Large collector power dissipation P_C

• Output of 5 W can be obtained by a complementary pair with

2SA0963

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

0.75 0.1

4.6 0.2

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

0.5 0.1

2.3 0.2

0.5 0.1

1.26 0.1

1: Emitter

2: Collector

3: Base

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

1.5

Peak collector current

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

Storage temperature

TO-126A-A1 Package

°C

150

T_stg

−55 to +150

Note) : T_C= 25°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

I_C= 1 mA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_CE= 10 V, I_B= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

V_CE= 5 V, I_C= 1 A

µA



I_CEO

100

I_EBO

1, 2

Forward current transfer ratio ^*

h_FE

220

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 1.5 A, I_B= 0.15 A

V_BE(sat)I_C= 2 A, I_B= 0.2 A

1.5

f_T

V_CB= 5 V, I_E= − 0.5 A, f = 200 MHz

V_CB= 5 V, I_E= 0, f = 1 MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE

80 to 160

120 to 220

Publication date: January 2003

SJD00097BED

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2209P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
2SC2209Q	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
2SC2209R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
2SC2210	SANYO	获取价格	2SC2210
2SC2210C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-92
2SC2210D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-92
2SC2210E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-92
2SC2210F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-92
2SC2215	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92
2SC2216	WINNERJOIN	获取价格	TRANSISTOR (NPN)

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