2SC2149

更新时间： 2024-01-06 14:02:48

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波
页数	文件大小	规格书
8页	55K
描述
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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2SC2149 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MICROWAVE, X-CXMW-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.76	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	X-CXMW-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	MICROWAVE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2148, 2SC2149

GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.

COLLECTOR CURRENT

INSERTION GAIN vs.

COLLECTOR CURRENT

CE = 10 V

f = 1.0 GHz

0.5

0.2

0.1

0.5

50 70

0.5

50 70

C−Collector Current−mA

IC−Collector Current−mA

COLLECTOR AND EMITTER CAPACITANCE vs.

NOISE FIGURE vs.

REVERSE VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT

VCE = 10 V

f = 1.0 MHz

f = 1.85 GHz

Cob

Cib

0.5

0.3

0.5

20 30

0.5

50 70

CB−Collector to Base Voltage−V

EB−Emitter to Base Voltage−V

IC−Collector Current−mA

1...3 4 567 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC2150	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 11V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-173	获取价格
2SC2151	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SC2151	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SC2166	NJSEMI	Silicon NPN Transistor Final RF Power Output	获取价格
2SC2166	MITSUBISHI	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)	获取价格
2SC2166	JMNIC	Silicon NPN Power Transistor	获取价格