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2SC2166

更新时间: 2024-11-19 22:52:39
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三菱 - MITSUBISHI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 129K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)

2SC2166 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.73
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:75 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):35
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:12.5 W
最大功率耗散 (Abs):1.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SC2166 数据手册

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