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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1969B | ISC |
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Transistor |
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| 2SC1969C | ISC |
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Transistor |
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| 2SC1969D | ISC |
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Transistor |
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| 2SC1969D | MITSUBISHI |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC1969X | ISC |
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Transistor |
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| 2SC1970 | MITSUBISHI |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) |
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| 2SC1970 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC1970A | ISC |
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Transistor |
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| 2SC1970B | ISC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SC1970C | ISC |
获取价格 |
Transistor |
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