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2SC1969X

更新时间： 2024-09-19 12:58:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	68K
描述
Transistor

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2SC1969X 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SC1969X 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC1969

DESCRIPTION

·High Power Gain-

: G_pe≥12dB,f= 27MHz, P_O= 16W

·High Reliability

APPLICATIONS

·Designed for 10~14 watts output power class AB amplifiers

applications in HF band.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage R_BE= ∞

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

1.7

T_j

Junction Temperature

150

-55~150

℃

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Ambient

Thermal Resistance,Junction to Case

73.5

6.25

R_{th j-a}

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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2SC1970	MITSUBISHI	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)
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2SC1970A	ISC	获取价格	Transistor
2SC1970B	ISC	获取价格	暂无描述
2SC1970C	ISC	获取价格	Transistor
2SC1970D	ISC	获取价格	暂无描述
2SC1970X	ISC	获取价格	Transistor
2SC1971	MITSUBISHI	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)
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