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2SC1970D

更新时间： 2024-11-20 13:04:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
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2SC1970D 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC1970

DESCRIPTION

·High Power Gain-

: G_pe≥ 9.2dB,f= 175MHz, P_O= 1W; V_CC= 13.5V

·High Reliability

APPLICATIONS

·Designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage R_BE= ∞

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

0.6

Collector Current

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

T_j

Junction Temperature

150

-55~150

℃

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Ambient

Thermal Resistance,Junction to Case

125

R_{th j-a}

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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2SC1970X	ISC	获取价格	Transistor
2SC1971	MITSUBISHI	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)
2SC1971	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2SC1971	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
2SC1971	NJSEMI	获取价格	silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band
2SC1971A	ISC	获取价格	Transistor
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