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2SC1970

更新时间： 2024-09-19 06:19:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC1970 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC1970

DESCRIPTION

·High Power Gain-

: G_pe≥ 9.2dB,f= 175MHz, P_O= 1W; V_CC= 13.5V

·High Reliability

APPLICATIONS

·Designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage R_BE= ∞

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

0.6

Collector Current

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

T_j

Junction Temperature

150

-55~150

℃

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Ambient

Thermal Resistance,Junction to Case

125

R_{th j-a}

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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