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2SC1971D

更新时间： 2024-11-20 13:04:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
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描述
Transistor

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2SC1971D 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SC1971D 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC1971

DESCRIPTION

·High Power Gain-

: G_pe≥ 10dB,f= 175MHz, P_O= 6W; V_CC= 13.5V

·High Reliability

APPLICATIONS

·Designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage R_BE= ∞

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

12.5

1.5

P_C

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

T_j

Junction Temperature

150

-55~150

℃

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Ambient

Thermal Resistance,Junction to Case

R_{th j-a}

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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2SC1974	ETC	获取价格	Si NPN Epitaxial Planar
2SC1975	ETC	获取价格	Si NPN Epitaxial Planar
2SC1980	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type
2SC1980R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| TO-92
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