5秒后页面跳转
2SC1971 PDF预览

2SC1971

更新时间: 2024-11-19 22:45:07
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体放大器射频双极晶体管功率放大器无线局域网
页数 文件大小 规格书
3页 126K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)

2SC1971 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.1
Is Samacsys:N外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):12 A集电极-发射极最大电压:17 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:12.5 W最大功率耗散 (Abs):1.5 W
最小功率增益 (Gp):10 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SC1971 数据手册

 浏览型号2SC1971的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC1971的Datasheet PDF文件第3页 

2SC1971 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE342 NTE

功能相似

Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 6W, 175MHz)

与2SC1971相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC1971A ISC

获取价格

Transistor
2SC1971B ISC

获取价格

Transistor
2SC1971D ISC

获取价格

Transistor
2SC1972 ASI

获取价格

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
2SC1972 MITSUBISHI

获取价格

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)
2SC1973 PANASONIC

获取价格

TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR
2SC1974 ETC

获取价格

Si NPN Epitaxial Planar
2SC1975 ETC

获取价格

Si NPN Epitaxial Planar
2SC1980 PANASONIC

获取价格

Silicon NPN epitaxial planer type
2SC1980R ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-92