NTE342

更新时间： 2024-11-19 22:30:15

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NTE		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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2页	25K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 6W, 175MHz)

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NTE342 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	2.16	Is Samacsys：	N
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	17 V	配置：	SINGLE
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	12.5 W	最大功率耗散 (Abs)：	12 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE342 数据手册

NTE342

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

(P_O= 6W, 175MHz)

Description:

The NTE342 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF

band mobile radio applications.

Features:

D High Power Gain: G_pe≥ 10dB (V_CC= 13.5V, P_O= 6W, f = 175MHz)

D Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at:

V_CC= 15.2V, P_O= 6W, f = 175MHz

Application:

D 4 to 5 Watt Output Power Amplifiers Applications in VHF band

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

Collector–Emitter Voltage (R_BE= ∞), V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Collector Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10°C/W

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NTE342 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC1971	ASI	功能相似	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
2SC1971	MITSUBISHI	功能相似	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)
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