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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-59 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.02 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1622A-T2B-A | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIM |
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| 2SC1622A-T2B-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,120V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236VAR |
|
| 2SC1622A-T2BD15 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLAST |
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| 2SC1622A-T2BD16 | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLAST |
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| 2SC1623 | NEC |
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AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC1623 | DCCOM |
获取价格 |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| 2SC1623 | UTC |
获取价格 |
AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC1623 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon Transistor |
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| 2SC1623 | SECOS |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SC1623 | MCC |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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