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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1622A-T2BD16 | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLAST |
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| 2SC1623 | NEC |
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AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC1623 | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| 2SC1623 | UTC |
获取价格 |
AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC1623 | KEXIN |
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NPN Silicon Transistor |
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| 2SC1623 | SECOS |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SC1623 | MCC |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SC1623 | WINNERJOIN |
获取价格 |
TRANSISTOR (NPN) |
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| 2SC1623 | TYSEMI |
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High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. VCE= 6.0 V, IC= 1.0 mA |
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| 2SC1623 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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