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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC1623
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2SC1623

更新时间： 2024-09-27 22:45:07
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 63K
描述
AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

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2SC1623 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：90
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

2SC1623 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC1623  
AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
MINI MOLD  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSIONS  
•
High DC Current Gain: hFE = 200 TYP.  
(VCE = 6.0 V, IC = 1.0 m A)  
in m illim eters  
2.8 ± 0.2  
1.5  
•
High Voltage: VCEO = 50 V  
+0.1  
0.65  
–0.15  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Maxim um Voltages and Current (TA = 25 ˚C)  
2
1
Collector to Base Voltage  
Collector to Em itter Voltage  
Em itter to Base Voltage  
Collector Current (DC)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
60  
50  
V
V
3
5.0  
100  
V
m A  
Maxim um Power Dissipation  
Total Power Dissipation  
Marking  
at 25 ˚C Am bient Tem perature PT  
Maxim um Tem peratures  
200  
150  
m W  
˚C  
J unction Tem perature  
Tj  
Storage Tem perature Range  
Tstg  
–55 to +150 ˚C  
1: Emitter  
2: Base  
3: Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cutoff Current  
Em itter Cutoff Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
ICBO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
0.1  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
VCB = 60 V, IE = 0  
VEB = 5.0 V, IC = 0  
µA  
µA  
IEBO  
0.1  
hFE  
90  
200  
0.15  
0.86  
0.62  
250  
3.0  
600  
0.3  
VCE = 6.0 V, IC = 1.0 m A*  
IC = 100 m A, IB = 10 m A*  
IC = 100 m A, IB = 10 m A*  
VCE = 6.0 V, IC = 1.0 m A*  
VCE = 6.0 V, IE = –10 m A  
VCB = 6.0 V, IE = 0, f = 1.0 MHz  
Collector Saturation Voltage  
Base to Saturation Voltage  
Base Em itter Voltage  
Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE  
V
V
1.0  
0.55  
0.65  
V
fT  
MHz  
pF  
Cob  
* Pulsed: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2 %  
hFE Classification  
Marking  
L4  
L5  
L6  
200 to 400  
L7  
300 to 600  
hFE  
90 to 180  
135 to 270  
Document No. TC-1481C  
(O.D. No. TC-5172C)  
Date Published July 1995 P  
Printed in Japan  
1984  
©
123456

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