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2SC1623

更新时间： 2024-01-14 19:33:05
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 63K
描述
Silicon Epitaxial Planar Transistor

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2SC1623 技术参数

极性：NPNCollector-emitter breakdown voltage：50
Collector Current - Continuous：0.1DC current gain - Min：90
DC current gain - Max：600Transition frequency：250
Package：SOT-323Storage Temperature Range：-55-150
class：Transistors

2SC1623 数据手册

  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
2SC1623  
Features  
·
·
High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=6.0V, I =1.0mA)  
C
NPN Silicon  
High voltage: VCEO=50V  
Epitaxial Transistors  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
50  
60  
5.0  
100  
200  
-55 to +150  
-55 to +150  
Unit  
V
V
SOT-23  
A
D
V
mA  
mW  
OC  
OC  
PC  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
B
C
TJ  
TSTG  
F
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
H
G
J
OFF CHARACTERISTICS  
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
---  
---  
---  
---  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
K
DIMENSIONS  
MM  
IEBO  
INCHES  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
ON CHARACTERISTICS  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
hF  
DC Current Gain*  
---  
(I =1.0mAdc, VCE=6.0Vdc)  
90  
200  
600  
C
VCE(sat)  
VBE(SAT)  
VBE  
Collector Saturation Voltage*  
(I =100mAdc, I =10mAdc)  
---  
---  
0.15  
0.86  
0.3  
1.0  
0.65  
---  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
pF  
C
B
F
G
H
J
Base Saturation Voltage*  
(I =100mAdc,I =10mAdc)  
C
B
.085  
.37  
Base Emitter Voltage*  
K
(VCE=6.0Vdc, I =1.0mAdc)  
0.55 0.62  
C
Suggested Solder  
Pad Layout  
Collector Capacitance  
(VCB=6.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
Gain Bandwidth product  
(VCE=6.0Vdc, IE=10mAdc)  
Cob  
fT  
---  
---  
3.0  
250  
.031  
.800  
---  
MHz  
.035  
.900  
.079  
2.000  
inches  
mm  
hFE CLASSIFICATION  
Marking  
hFE  
L4  
90-180  
L5  
135-270  
L6  
200-400  
L7  
300-600  
.037  
.950  
* Pulse Test PW<350us, duty cycle<2%  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
Revision: 2  
2003/04/30  
1

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2SC1623 替代型号

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