2SB967

更新时间： 2024-09-18 22:27:15

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管
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描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency power amplification)

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2SB967 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	18 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	140 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SB967 数据手册

Power Transistors

2SB967

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

6.5±0.1

5.3±0.1

4.35±0.1

2.3±0.1

For low-frequency power amplification

0.5±0.1

Features

■

1.0±0.1

0.1±0.05

0.93±0.1

●

Possible to solder the radiation fin directly to printed cicuit board

0.5±0.1

0.75±0.1

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

2.3±0.1

4.6±0.1

●

Large collector current I_C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

U Type Package

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Unit: mm

6.5±0.2

5.35

4.35

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–27

–18

–7

–8

0.75

0.6

I_C

–5

2.3 2.3

Collector power dissipation (T_C=25°C)

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

0.5±0.1

T_stg

–55 to +150

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–63

U Type Package (Z)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

–1

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= –10V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= –5V, I_C= 0

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Forward current transfer ratio

V_CEO

V_EBO

I_C= –1mA, I_B= 0

–18

–7

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE

V_CE= –2V, I_C= –2A

625

–1

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –3A, I_B= – 0.1A

V_CB= –6V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –20V, I_E= 0, f = 1MHz

MHz

Transition frequency

f_T

120

Collector output capacitance

C_ob

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

90 to 135

125 to 205 180 to 625

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