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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB967PZ
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2SB967PZ

更新时间： 2024-01-01 07:56:34
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, U-TYPE, SC-63, 3 PIN

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2SB967PZ 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-63
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：18 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SB967PZ 数据手册

 浏览型号2SB967PZ的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SB967  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
6.5±0.1  
5.3±0.1  
4.35±0.1  
2.3±0.1  
For low-frequency power amplification  
0.5±0.1  
Features  
■
1.0±0.1  
0.1±0.05  
0.93±0.1  
●
Possible to solder the radiation fin directly to printed cicuit board  
0.5±0.1  
0.75±0.1  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
2.3±0.1  
4.6±0.1  
●
Large collector current IC  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
U Type Package  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Unit: mm  
6.5±0.2  
5.35  
4.35  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–27  
–18  
V
–7  
V
–8  
A
0.75  
0.6  
IC  
–5  
20  
A
2.3 2.3  
Collector power dissipation (TC=25°C)  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
0.5±0.1  
Tstg  
–55 to +150  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
EIAJ:SC–63  
U Type Package (Z)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–1  
Unit  
nA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = –10V, IE = 0  
IEBO  
VEB = –5V, IC = 0  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Forward current transfer ratio  
VCEO  
VEBO  
IC = –1mA, IB = 0  
–18  
–7  
IE = –10µA, IC = 0  
V
*
hFE  
VCE = –2V, IC = –2A  
90  
625  
–1  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –3A, IB = – 0.1A  
VCB = –6V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –20V, IE = 0, f = 1MHz  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
120  
Collector output capacitance  
Cob  
85  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
P
Q
R
90 to 135  
125 to 205 180 to 625  
1
12

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与2SB967PZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB967Q PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB967-Q KEXIN

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 		PNP Transistors
2SB967QZ PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB967R PANASONIC

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2SB968 TYSEMI

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 		Possible to solder the radiation fin directly to printed cicuit board.
2SB968 KEXIN

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 		Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB968 PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency output amplification)
2SB968_15 KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors

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