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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.75 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB977A | PANASONIC |
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2SB970 Si PNP EPITAXIAL PLANAR / 2SB977 2SB977A Si PNP EPITAXIAL PLANAR DARLINGTON / 2SC15 |
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| 2SB979 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB979 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistor |
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| 2SB980 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB980 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistor |
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| 2SB984 | NEC |
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PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2SB984K | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB984-K | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB984L | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB984-L | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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