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2SB987Q

更新时间： 2024-01-22 07:50:58

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松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	167K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-51, TO-92L, 3 PIN

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技术参数
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2SB987Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SB987Q 数据手册

Transistor

2SB987

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency output amplification

Complementary to 2SD1211

Unit: mm

5.9±0.2

4.9±0.2

Features

■

●

Extremely satisfactory linearity of the forward current transfer

ratio h_FE

●

High transition frequency f_T.

Makes up a complementary pair with 2SD1211, which is opti-

mum for the pre-driver stage of a 40 to 60W output amplifier.

0.7±0.1

2.54±0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–120

–5

Unit

0.45^+–0.2¹

0.45⁺–0⁰.^.1²

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1.27

1:Emitter

2:Collector

3:Base

EIAJ:SC–51

TO–92L Package

–1

I_C

– 0.5

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

Conditions

min

–120

–5

typ

max

Unit

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

I_C= –0.1mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= –10V, I_C= –150mA^*2

V_CE= –5V, I_C= –500mA^*2

I_C= –300mA, I_B= –30mA^*2

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

220

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

–1.0

–1.2

Transition frequency

f_T

250

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

90 ~ 155

130 ~ 220

12 3

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