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2SB986T

更新时间: 2024-02-11 23:15:01
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3页 333K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-126

2SB986T 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.32Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:10 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:0.7 VBase Number Matches:1

2SB986T 数据手册

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