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2SB976

更新时间： 2024-01-03 13:26:08
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
For Low-Frequency Output Amplification

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2SB976 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：18 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SB976 数据手册

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Transistors  
2SB0976 (2SB976)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low-frequency output amplification  
For DC-DC converter  
Unit: mm  
5.0 0.2  
4.0 0.2  
For stroboscope  
■ Features  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• Large collector current IC  
0.7 0.1  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
+0.15  
+0.15  
Parameter  
Symbol  
Rating  
−27  
Unit  
V
0.45  
0.45  
–0.1  
–0.1  
+0.6  
+0.6  
2.5  
–0.2  
2.5  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
–0.2  
−18  
V
1
2 3  
−7  
V
1: Emitter  
2: Collector  
3: Base  
TO-92-B1 Package  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
Tj  
−5  
A
Peak collector current  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
−8  
A
0.75  
W
°C  
°C  
150  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
Conditions  
Min  
−18  
−7  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
IC = −1 mA, IB = 0  
IE = −10 µA, IC = 0  
VCB = −10 V, IE = 0  
VEB = −5 V, IC = 0  
VCE = −2 V, IC = −2 A  
V
−100  
−1  
nA  
µA  
IEBO  
1, 2  
Forward current transfer ratio *  
hFE  
125  
625  
−1.0  
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = −3 A, IB = − 0.1 A  
− 0.4  
120  
60  
V
Transition frequency  
fT  
VCB = −6 V, IE = 50 mA, f = 200 MHz  
VCB = −20 V, IE = 0, f = 1 MHz  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Rank  
Q
R
hFE  
125 to 205  
180 to 625  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: March 2003  
SJC00064BED  
1
123

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