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2SB648B

更新时间： 2024-11-22 23:20:07

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其他 - ETC		晶体晶体管放大器
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描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-126VAR

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2SB648B 数据手册

2SB648, 2SB648A

Silicon PNP Epitaxial

Application

Low frequency high voltage amplifier complementary pair with 2SD668/A

Outline

TO-126 MOD

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Ratings

2SB648

–180

–120

–5

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SB648A

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–180

–160

–5

–50

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_C(peak)

P_C

–100

150

°C

Tstg

–55 to +150

12 3 4 5 6

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