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2SB649

更新时间： 2024-11-20 14:54:11

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
3页	346K
描述
TO-126

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2SB649 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SB649 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

2SB649 / 2SB649A TRANSISTOR (PNP)

TO- 126

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES

Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair

with 2SD669 / 2SD669A

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

Equivalent Circuit

B649 , B649A,!ꢀ-ꢁꢂꢀꢃꢂo.ꢀꢃ

Solid dot = Green molding compound

device, if none, the normal device

//,ꢄode ꢀ

B649

ꢀ

B649A

ꢀ

ORDERING INFORMATION

Part Number

2SB649

Package

TO-126

Packing Method

Pack Quantity

Bulk

200pcs/Bag

60pcs/Tube

2SB649A

2SB649-TU

Tube

2SB649A-TU

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

Unit

Collector- Base Voltage

-180

-120

-160

-5

2SB649

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

2SB649A

V_EBO

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

-1.5

I_C

P_C

℃

Operation Junction and Storage Temperature Range

-55-150

T_J,T_stg

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.0

12 3

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与2SB649相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB649 2SB649A	UTC	获取价格	PNP
2SB649(TO-126C)	CJ	获取价格	Transistor
2SB649_09	UTC	获取价格	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
2SB649_11	UTC	获取价格	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
2SB649_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB649_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB649_A	UTC	获取价格	PNP
2SB649A	UTC	获取价格	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
2SB649A	HITACHI	获取价格	Silicon PNP Epitaxial
2SB649A	TRSYS	获取价格	TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors