2SB649A

更新时间： 2024-11-23 06:25:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	81K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SB649A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

2SB649A 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB649A

DESCRIPTION

·High Collector Current-I_C=-1.5A

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO=-160V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Low Saturation Voltage

·Complement to Type 2SD669A

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-180

-160

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Pulse

-1.5

-3

I_CP

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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