5秒后页面跳转
2SB633F PDF预览

2SB633F

更新时间: 2024-02-11 17:32:59
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 219K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 85V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB

2SB633F 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.83最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:85 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):160JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):15 MHz

2SB633F 数据手册

 浏览型号2SB633F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB633F的Datasheet PDF文件第3页 

与2SB633F相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SB633P SANYO 85V/6A,AF 35 to 45W Output Applications

获取价格

2SB633PD ETC BJT

获取价格

2SB633PE ETC BJT

获取价格

2SB633PF ETC BJT

获取价格

2SB634 ISC Silicon PNP Power Transistor

获取价格

2SB634 SAVANTIC Silicon PNP Power Transistors

获取价格