2SB642

更新时间： 2024-01-11 08:30:45

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管
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3页	53K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type(Silicon PNP epitaxial planer type)

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2SB642 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-71
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	290	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SB642 数据手册

Transistor

2SB642

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-power general amplification

Unit: mm

6.9±0.1

2.5±0.1

1.5

1.5 R0.9

1.0

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

R0.9

●

M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

R0.7

0.85

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

0.55±0.1

0.45±0.05

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–60

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–50

–7

2.5

–200

–100

400

˚C

I_C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–71

M Type Mold Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–1

Unit

µA

V_CB= –20V, I_E= 0

V_CE= –20V, I_B= 0

_C= –10µA, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

–1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

–60

–50

–7

I_C= –2mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= –10V, I_C= –2mA

I_C= –100mA, I_B= –10mA

160

460

–1

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= –10V, I_E= 2mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

Collector output capacitance

C_ob

3.5

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

160 ~ 260

210 ~ 340

290 ~ 460

12 3

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